描述：IRL3713PBF
30V正极N通道HEXFET功率MOSFET，采用TO-220AB封装
特征描述：IRL3713PBF
宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品认证
硅经过优化，适用于低于100kHz的开关应用
行业标准的通孔电源封装
高电流承载能力封装（高达195 A，取决于芯片尺寸）
能够波峰焊
制造商: Infineon
产品种类: MOSFETRoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 200 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
Pd-功率耗散: 200 W
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
