P通道20 V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®Gen III p沟道功率MOSFET
•经过100％的Rg和UIS测试
•材料分类：
有关符合性的定义，请参阅
应用领域：SI7615ADN-T1-GE3
•转接开关
•电池开关
•负荷开关
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 122 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
系列: SI7
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 82 S
下降时间: 13 ns, 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns, 40 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 75 ns, 85 ns
典型接通延迟时间: 13 ns, 41 ns
零件号别名: SI7621DN-T1-GE3
单位重量: 1 g
