N和P通道20 V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®功率MOSFET
•散热增强的PowerPAK®
•已通过100％汞测试
•物料分类：
有关符合性的定义，请参阅
应用领域：SI7540ADP-T1-GE3
•DC / DC转换器
•同步降压转换器
•同步整流器
•负荷开关
•电机驱动开关
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 12 A, 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms, 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV, 1.4 V
Qg-栅极电荷: 27 nC, 48 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual
系列: SI7
商标: Vishay Semiconductors
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 506.600 mg
