深圳市大唐盛世半导体有限公司
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IGN1214L30 ： 波段雷达晶体管-GaN。公司优势库存。
波段雷达晶体管-GaN
GaN on SiC HEMT技术
POUT-PK≥30W @ 5毫秒/ 30％/ 42V
1.2-1.4GHz瞬时工作频率范围
内部阻抗预匹配器件
耗尽模式设备
要求负栅极电压和偏置排序
指定用于AB级操作下
陶瓷环氧盖密封的金属基包装
金金属化系统：芯片-引线键合-封装
包装尺寸：W = 0.800英寸（20.32mm），L = 0.230英寸（5.84mm）
“ S”包装尺寸：W = 0.390英寸（9.91毫米），L = 0.230英寸（5.84毫米）
100％高功率射频在宽带射频测试治具中测
公司优势库存：
IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
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IGN1030L800
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