深圳市大唐盛世半导体有限公司
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IDM175CW300 ： VHF波段射频功率MOSFET。公司优势库存。
VHF波段射频功率MOSFET
大功率硅晶体管部件号IDM175CW300
设计用于工作在1-200 MHz的VHF频段系统。
该双MOSFET器件在CW条件下运行
在整个系统中提供至少300瓦的功率
1-200 MHz的瞬时工作带宽。 所有
对大信号RF参数进行100％筛选。
硅MOSFET
大功率增益
thermal优异的热稳定性
AB类操作
门极偏置到IDQ = 2 x 250mA
组态
共同来源
金金属
最大可靠性
Be0套餐
Thermal无与伦比的热可靠性
环氧密封盖
合格的总泄漏
射频测试治具
窄带
符合50Ω
长期相关
100％设备RF屏蔽
不允许进行外部调音
公司优势库存：
IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500
ILD1012S500HV
ILD1011M15HV
ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
ILD1011M275HV
ILD1011M550HV
ILD1011L950HV
ILD1011M1000HVC
ILD1011M160HV
ILD1011M280HV
ILD0912M15HV
ILD0912M60
ILD0912M150HV
ILD0912M400HV
IB450S300
IB450S500
IB0607S100
IB0607S1000
IB0912L30
IB0912L70
IB0912M70
IB0912L200
IB0912M210
IB0912M350
IB0912M500
IB0912M600
IB1012S10
IB1012S20
IB1012S50
IB1012S150
IB1012S500
IB1012S800
IB1012S1100
IB1011M10
IDM175CW300
IDM500CW200
IDM500CW300
IDM30512CW20
IDM30512CW50
IDM30512CW100
IDM165L650
IDM265L650
