深圳市大唐盛世半导体有限公司
手 机：17727572380（程R) 。13008842056(张R）
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IDM30512CW50 ： 宽带射频功率MOSFET。公司优势库存。
宽带射频功率MOSFET
高功率晶体管部件号IDM30512CW50为
设计用于在VHF / UHF频段上运行的VHF / UHF频段系统
连续波条件下30-512 MHz的频带。 在
该双MOSFET的30-512MHz的瞬时工作频带
该设备能够提供至少50瓦的输出
功率。 所有设备在窄带RF测试中均经过100％屏蔽
夹具可在400MHz频率下提供至少50W的输出功率。
硅MOSFET
−高功率增益
−出色的热稳定性
AB类操作
−栅极偏置至IDQ = 2x100mA
组态
−共同来源
金金属
−最大可靠性
BeO包
−无与伦比的热可靠性
环氧密封盖
−合格的总泄漏
射频测试治具
−窄带
−匹配50Ω
−长期相关
− 100％设备RF屏蔽
−无需外部调整
公司优势库存：
IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500
ILD1012S500HV
ILD1011M15HV
ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
ILD1011M275HV
ILD1011M550HV
ILD1011L950HV
ILD1011M1000HVC
ILD1011M160HV
ILD1011M280HV
ILD0912M15HV
ILD0912M60
ILD0912M150HV
ILD0912M400HV
IB450S300
IB450S500
IB0607S100
IB0607S1000
IB0912L30
IB0912L70
IB0912M70
IB0912L200
IB0912M210
IB0912M350
IB0912M500
IB0912M600
IB1012S10
IB1012S20
IB1012S50
IB1012S150
IB1012S500
IB1012S800
IB1012S1100
IB1011M10
IDM175CW300
IDM500CW200
IDM500CW300
IDM30512CW20
IDM30512CW50
IDM30512CW100
IDM165L650
IDM265L650
