这是SK海力士去年10月发表96层4D NAND后，时隔8个月再次发表新产品。16CPT-B-2A据韩媒《朝鲜日报》报导，SK海力士为使用TLC设计(每个Cell单元上安装3bit)开发新产品，应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术，制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品，不仅达到业界最高堆栈数，也超越三星电子量产的90层NAND。
虽然先前已有96层QLC 1Tb规格的产品，但TLC的性能、处理速度皆优于QLC，在NAND市场中，TLC产品市占率更达85%。因此SK海力士首次以TLC技术开发出高容量NAND，备受外界关注。
特别的是，虽然该产品将原本96层NAND产品增加32层，制程手续却减少5%，加上128层4D NAND的每硅片位元生产率比96层4D NAND高4成，即使不使用PUC技术(外围电路)，128层4D NAND的位元生产率仍然能提高15%以上。SK海力士对此说明，通过此方式能节省转换新制程的花费，和上一代转换投资费用相比，约能减少6成。《朝鲜日报》指出，这是SK海力士活用去年10月开发的4D NAND工艺平台，并优化制程的成果。
SK海力士计划下半年开始销售128层4D NAND闪存。SK海力士相关人士表示，该产品即使在低电压(1.2V)环境，也能达到1400Mbps数据传输速度，适合应用在高性能、低耗电的移动解决方案，以及企业用SSD(固态硬盘)中
