产品种类:
马达/运动/点火控制器和驱动器
制造商:
Infineon
RoHS:
产品:
Fan / Motor Controllers / Drivers
类型:
H-Bridge for DC Motor Applications
工作电源电压:
6 V to 40 V
输出电流:
5 A
工作电源电流:
10 mA
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-7
封装:
Reel
商标:
Infineon Technologies
工作温度范围:
- 40 C to + 150 C
工厂包装数量:
1000
零件号别名:
SP000377307 TLE52052GAUMA1 TLE52052GXT
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全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)
今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管
提供750W连续波(CW)，比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H
晶体管基于50V硅技术LDMOS，突破了半导体射频功率放大器的极限，使之成
为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。
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这款晶体管简单易用，极大方便了微波发生器设计人员。与真空管时代的技
术(如磁控管)相比，MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF
13750H支持在0至750W的全动态范围内进行精确的功率控制，并可实现频
移，有助于精确地使用射频能量。而且，MRF13750H的性能随时间推移下
降很小，能够运行数十年，降低了总拥有成本。MRF13750H的工作电压为
50V，比磁控管更安全。另外，固态功率放大器尺寸小，有助于实现设计冗
余和灵活性。
恩智浦市场射频功率工业技术高级总监兼总经理Pierre Piel表示：“长期以
来，半导体器件的可靠性和优异的控制特性早已得到认同，但是工业系统设
计人员难以组合多个晶体管来匹配磁控管的功率水平。现在凭借MRF13750H
的优异性能，工业加热工程师能在非常高功率的系统中使用这种晶体管。”
射频能量联盟执行董事Klaus Werner表示：“鉴于固态射频能量作为高效可
控的热源和功率源具有诸多优势，射频能量联盟(RFEA)认为该技术有着不可
估量的市场机会，不仅能够改善现有的射频能量应用，而且有助于开发新的
能量应用。新产品MRF13750H的强大性能无疑将加速行业向固态射频技术
的转型。”
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