产品种类: LCD 驱动器
制造商: ROHM Semiconductor
型号：BD8160AEFV-E2
数量：8600
RoHS: 符合RoHS
系列: BD8160AEFV
最大时钟频率: 750 kHz
工作电源电压: 12 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装 / 箱体: HTSSOP-B-28
封装: Reel
商标: ROHM Semiconductor
安装风格: SMD/SMT
Pd-功率耗散: 4.7 W
产品: System Power Supply IC
工厂包装数量: 2500
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集成电路产业正在加速向亚洲特别是中国大陆转移，这个
判断正在得到越来越多事实的支持。如果说2016年在中国
大陆投资建设晶圆厂以外资为多，如英特尔总投资55亿美
元在大连，升级原有的大连工厂，生产非易失性存储器;联
电投资13.5亿美元在厦门建立月产能6万片的12英寸晶圆
代工厂;力晶投资135.3亿元在合肥新区设立月产能4万片的
12英寸晶圆代工厂。那么，2017年在中国大陆的半导体投
资，则以中资为主。
2017年3月28日，以武汉新芯为基础的国家存储器生产基地
项目正式动工，主要面向存储器芯片的产品设计、技术研发、
晶圆生产与测试，将在5年内投资240亿美元，预计到2020
年将形成月产能30万片的生产规模，到2030年将形成每月
100万片的产能。2016年7月26日，长江存储科技有限责任
公司宣布成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成
电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合
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伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，
并在武汉新芯的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和
国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。
同样是在2016年3月28日，南京市政府与台积电正式签署合
作协议。台积电将投资30亿美元建设12英寸晶圆厂和IC设计
中心，初期月规划产能2万片。2016年7月7日项目举行开工
典礼，预计在2018年下半年正式投产16nm制程，将在2019
年达到预定产能。
2016年3月29日CMOS传感器厂德科玛宣布在江苏淮安建一座
小规模12英寸晶圆厂。一期项目8英寸晶圆厂总投资5亿美元，
以自主设计的图像传感器芯片制造为主。预计项目投产后产能
可达4万片/月。二期项目12英寸晶圆厂总投资20亿美元，投产
后产能可达2万片/月。
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美国AOS公司将投资7亿美元在重庆水土园区建设12英寸功率半
导体芯片制造及封测基地，项目于2016年3月30日举行开工活
动。美国AOS半导体股份有限公司于2000年在美国加州成立总
部，主营功率型金属氧化层场效晶体管(Power MOSFET)。
7月16日，福建省晋华存储器集成电路生产线举行开工仪式。项
目一期投资370亿元，计划建设一座存储器研发制造企业，重点
发展DRAM产品，初期将以利基型DRAM为切入点。
10月份，中芯国际在一个月内连续宣布新厂投资计划，将在上海
开工新建一条12英寸生产线，制程为14纳米及以下，月产能7万
片，总投资高达675亿元;将天津的8英寸生产线，产能由4.5万片/
月，扩大至15万片/月，成为全球单体最大的8英寸生产线;在深圳
新建一条12英寸生产线，预期目标产能达到每月4万片。
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11月9日，华力微电子二期12英寸高工艺等级生产线项目正式启
动，总投资387亿元，规划月产能4万片，设计工艺为28、20和
14纳米。
加总上述的设资计划，在未来数年间投入集成电路制造领域的资
金将超过3500亿元。在产能建设上，根据国际半导体设备与材料
产业协会(SEMI)发布的报告，目前全球处于规划或建设阶段，预
计将于2017年～2020年间投产的半导体晶圆厂约为62座，其中
26座设于中国，占全球总数42%。这些建于中国的晶圆厂2017
年预计将有6座上线投产，2018年达到高峰，共13座晶圆厂加入
营运，其中多数为晶圆代工厂。
先进工艺争夺是成败关键
分析上述资料可以发现，本轮针对集成电路制造的投资具有以下
特点：首先，这一轮投资以12英寸晶圆厂为主。根据市调机构IC
Insights最新公布的《2017~2021年全球晶圆产能报告》，2008
年前，IC制造以8英寸晶圆为主;2008年以后，12英寸晶圆逐渐取
代其成为市场主流。中国大陆的本次产能，不仅仅是在制造生产线
的数量上大幅增加，更是以相对高端的工艺技术为主。而根据半导
体专家莫大康的介绍：“观察中国大陆晶圆厂财报可以发现，当前
企业的营收主要来自55纳米及以上的工艺节点。”可以预见，在本
轮投资之后，未来中国大陆厂商将要在先进工艺领域，与国际大厂
进行更加激烈的争夺，能否在更先进的工艺领域(如28纳米)站稳脚
跟，将有巨大影响。
其次，如果将中国大陆目前现存和在建的全部产能折合为12英寸产
能，总量将达到1560千片/月，在建产能接近现有产能的九成，而且
主要都是12英寸生产线。如此之多的新增产能，是否能够得到及时
消化将是一个挑战。
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最后，观察目前现存和在建集成电路产线的分布情况，北京、合肥、
淮安、南京、上海、宁波、晋江、厦门、深圳、武汉、重庆、成都
等城市都进入了制造领域。其中传统集成电路制造强市上海相对其
他地区仍保持明显优势，北京、武汉紧随其后，但是部分在这一轮快
速扩张中新挤入集成电路阵营的城市和地区，产业基础相对较弱。对
此，清华大学微电子所教授魏少军指出：“12英寸晶圆厂建设，从产
能总量上看，还未超出预期，但布局分散，无法呈现规模效应，后续
情况堪忧。”
保持投资的持续性更加重要
中国集成电路的发展模式以专业分工为主，在设计、制造(代工)、封测
等几个产业链主要环节中，以制造环节对上下游的带动作用最为明显。
尽管有观点认为中国应当发展IDM模式，然而以目前中国的现实来看，
以制造(代工)环节发展为重点，仍是重要选择。这也是本轮“国家集成
电路产业投资基金”重点投资制造业的主要原因。以高通公司与中芯国
际在28纳米工艺制程和晶圆制造方面的合作为例，高通是目前全球最大
的IC设计企业，与中芯国际合作，快速推进了我国企业在先进制程上的
进步。而中芯国际利用制造环节的现行优势，联合创新，带动起全产业
链的共同推进。此后，中芯国际以4亿美元和之前收购星科金朋时的1亿
美元股权转为长电科技的股权，成为长电科技最大股东，又是“制造+
封装”一条龙战略的重要探索。可见投资集成电路制造的重要性与必要
性。
然而，大规模海量资金投入集成电路制造，也存在一些挑战。针对当前
集成电路投资热的形势，有专家提出了投资持续性的问题。众所周知，
发展集成电路不仅所需资金庞大，而且需要持续不断的投入。三星从上
世纪80年代投入发展存储器开始，忍受了十几年的亏损，当前中国集成
电路投入巨资，在技术实力不足的情况下不仅面对国际厂商竞争，还将
面临巨额设备拆旧的沉重压力，在未来较长一段时间内出现亏损将是大
概率事件，特别是那些新建企业。避免LED与光伏产业中的“一阵风”
热情，持续投入资金将是今后面临的主要挑战。
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