制造商: STMicroelectronics
型号:STW6N120K3
数量:8600
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1200 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 32 ns
Pd-功率耗散: 150 W
上升时间: 12 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 600
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 38
STW6N120K3现货保证原装假一赔十
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一是全球代工仍是红火。2017年全球代工业可能有近6%的增长,
达到500亿美元,其中台积电是最大赢家,它在2017年可能有
10%的增长,市占率达58%。市调机构预测,在2020年,全球
代工(包括IDM与纯代工)的销售额可达近640亿美元。
二是fabless的风光不再。继2014年增长7.1%,达880亿美元之
后,2015年下降8.5%,预计2016年再下降3.2%。其中可能有两
个主要因素,一方面是大客户如苹果、华为、三星等纷纷设计自
用芯片;另一方面从技术层面看,继续往10纳米及以下发展时,IC
设计的成本急剧增大,终端消费产品逐渐饱和但新的终端应用尚
未及时跟上。因此近期看到高通兼并NXP,它从fabless跨界到
IDM,未来还可能在汽车电子领域中有所作为。
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三是兼并加剧。全球半导体业在2015及2016两年中的兼并,让业
界的印象尤为深刻,正所谓”一切皆有可能”。预计2017年会减
缓。据数据统计显示,2015年全球半导体并购案金额达到1400多
亿美元,而中国在其中只占有170多亿美元,所占份额不到12%。
四是中国半导体产业崛起不可逆转。自2014年起,在大基金的推
动下,中国半导体产业正发起再次的挺进,它的声势之大,动作之
迅速,己经引起全球的极大反响。中国半导体产业别无选择,一定
要逆势而上,而且不能退缩。
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尽管中国半导体产业的发展,可能会吸收之前光伏、面板及LED等
新兴产业的发展经验,在中央与地方政府的两个方面共同推力下,
采用更多的市场化手段,但是其中难免受到有些非市场化因素的影
响。
观察上世纪80年代,日本借助发展存储器超过美国,而争得全球第
一。之后90年代,韩国依同样的手法,利用存储器打败了日本,而
争得全球存储器霸主地位至今。此次中国半导体业欲同样采用发展
存储器来打翻身仗,所以不可避免地会引起全球半导体业界的巨大
反响。
对中国半导体业而言,既要尽可能地争取外援,又要把基点放在依靠
自己的力量为主加强研发。显然由于中国半导体业与先进地区之间的
差距很大,所以产业的大环境尚不完善,在此影响下,中国半导体业
的崛起可能走的路不会平坦,费时会更长些。
全球半导体市场在经过2014年冲高之后,达3355亿美元,增长9.8%,
而接下来的2015年与2016年,已连续两年处于徘徊期,基本上止步不
前,按产业的周期性规律波动,预计2017年可能会有小幅增长。原因
是推动产业增长的主因之一智能手机,它的数量在2014年增长28%后,
2015年增长7%,而2016年才增长1%,己达饱和,而预期的下一波推
手,如AR/VR、汽车电子及物联网等尚未达到预期。
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