数据列表 2Gb: x4, x8, x16 DDR3L SDRAM
标准包装 ? 2,000
类别 集成电路（IC）
家庭 存储器
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
格式 - 存储器 RAM
存储器类型 DDR3L SDRAM
存储容量 2G（256M x 8）
速度 800MHz
接口 并联
电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V
工作温度 0°C ~ 95°C
封装/外壳 78-TFBGA
供应商器件封装 78-FBGA（8x10.5）
业界首项 3D-on-3D技术：高端UltraScale+系列集合了3D晶体管和赛灵思第三代3D IC的组合功耗优势。正如FinFET相比平面晶体管实现性能功耗比非线性提升一样，3D IC相比单个器件实现系统集成度和单位功耗带宽的非线性提升。
异构多处理技术：全新Zynq UltraScale MPSoC通过部署上述所有FPGA技术，实现了前所未有的异构多处理能力，从而能够实现“为合适任务提供合适引擎”。这些新器件相对此前解决方案可将系统级性能功耗比提升约5倍。位于处理子系统中心的是64位四核ARM® Cortex®-A53处理器，能实现硬件虚拟化和非对称处理，并全面支持ARM® TrustZone®。
处理子系统还包括支持确定性操作(deterministic operation)的双核ARM Cortex®-R5实时处理器，从而可确保实时响应、高吞吐量和低时延，实现最高级别的安全性和可靠性。单独的安全单元可实现军事级的安全解决方案，诸如安全启动、密钥与库管理和防破坏功能等，这些都是设备间通信以及工业物联网应用的标准需求。
为实现完整的图形加速和视频压缩/解压缩功能，MT41K256M8DA-125:K这一新的器件集成了ARM® Mali™-400MP专用图形处理器和H.265视频编解码器单元，同时还支持Displayport、MIPI和HDMI。最后，该新器件还添加了专用平台和电源管理单元(PMU)，其可支持系统监控、系统管理以及每个处理引擎的动态电源门控。
赛灵思可编程产品部执行副总裁兼总经理Victor Peng 表示：“面向各种下一代应用，赛灵思的16nm FinFET FPGA和MPSoC 可以提供领先一代的价值优势。我们全新的UltraScale+ 16nm 产品组合提供了高出2至5倍的系统性能功耗比，实现了系统集成和智能化的巨大飞跃，以及客户所需要的最高级别的保密性和安全性。这些功能显著地扩大了赛灵思的现有市场。”
台积公司(TSMC)业务开发副总经理金平中博士表示“台积公司(TSMC)与赛灵思公司持续不断的通力协作成就了世界级的16nm FinFET 产品系列，我们双方共同明确地展示了拥有最低功耗和最高系统价值的业界领先芯片性能。”
