SSM6L09FU高速切换效应晶体管硅N·P沟道MOS电源管理
发布时间:2019/4/30 11:43:38 访问次数:11946
东芝场效应晶体管硅n·p沟道mos型（π-mosvi）
ssm6l09fu
○电源管理开关
○高速切换
•适用于小型封装的高密度安装。
- 51电子网公益库存:
- EC3H05B-TL/E
- E6465銆愮壒浠枫��
- EE80C196KC20銆愮壒浠风幇璐с��
- EFC4612R-S-TR
- EG393
- EN25F16-100HIP
- EP1810LC-35銆愮壒浠风幇璐с��
- EP3C40F780C6N
- EP4CE6F17I7N銆愮壒浠风幇璐с��
- EPM1270T144I5N
- ES8316
- ESC24120-S-O
- ESC48120-D
- EV1527
- EXB840
- F10JZ47
- F2804S
- F81438G
- FCP11N60
- FDC654P
- FDG6316P
- FDN336P
- FDN358P
- FDS4141
- CM450DX-24S
- EL1881CN
- EL4N35
- FE005A
- FE1.1S
- FF800R17KP4_B2
•低电阻。 q1：rds（on）=0.7Ω（最大值）（@ vgs = 10 v）
q2：rds（on）=2.7Ω（最大值）（@ vgs = -10 v）
q1绝对最大额定值（ta = 25°c）
项目符号评级单位
漏源电压vdss 30 v.
栅源电压vgss±20 v.
d c id 400
漏电流
脉冲idp 800
毫安
漏源电压vdss-30 v.
栅源电压vgss±20 v.
d c id-200
漏电流
脉冲idp -400
毫安
功耗pd300 mw
通道温度tch 150°c
储存温度tstg -55至150°c
特性http://gll.51dzw.com/（ta = 25°c）
项目符号测量条件最小标准ssm6l09fu最大单位
栅极漏电流igss vgs =±16 v，vds =0⎯±1μa
漏源击穿电压v（br）dss id = 1 ma，vgs = 030⎯⎯v
漏极阻断电流idss vds = 30 v，vgs =0⎯⎯1μa
栅极阈值电压vth vds = 5 v，id = 0.1 ma 1.1 1.8 1.8 v.
正向传输导纳⎪yfs= vds = 5 v，id = 200 ma（注2）270⎯⎯ms
id = 200 ma，vgs = 10 v（注2）⎯0.50.7
漏源导通电阻rds（on）id = 200 ma，vgs = 4 v（注2）0.8 0.8 1.2
id = 200 ma，vgs = 3.3 v（注2）⎯1.01.7
Ω
输入容量ciss⎯20⎯pf
反馈电容crss⎯7⎯pf
输出容量coss
vds = 5 v，vgs = 0，f = 1 mhz
⎯16⎯pf
开启时间ton⎯72⎯切换时间
关闭时间toff
vdd = 5 v，id http://xiangxing.51dzw.com/= 200 ma，
vgs = 0至4v⎯68ns ns
(素材来源：toshiba-semicon-storage.如涉版权问题，请及时联系删除.)
东芝场效应晶体管硅n·p沟道mos型（π-mosvi）
ssm6l09fu
○电源管理开关
○高速切换
•适用于小型封装的高密度安装。
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- ES8316
- ESC24120-S-O
- ESC48120-D
- EV1527
- EXB840
- F10JZ47
- F2804S
- F81438G
- FCP11N60
- FDC654P
- FDG6316P
- FDN336P
- FDN358P
- FDS4141
- CM450DX-24S
- EL1881CN
- EL4N35
- FE005A
- FE1.1S
- FF800R17KP4_B2
•低电阻。 q1：rds（on）=0.7Ω（最大值）（@ vgs = 10 v）
q2：rds（on）=2.7Ω（最大值）（@ vgs = -10 v）
q1绝对最大额定值（ta = 25°c）
项目符号评级单位
漏源电压vdss 30 v.
栅源电压vgss±20 v.
d c id 400
漏电流
脉冲idp 800
毫安
漏源电压vdss-30 v.
栅源电压vgss±20 v.
d c id-200
漏电流
脉冲idp -400
毫安
功耗pd300 mw
通道温度tch 150°c
储存温度tstg -55至150°c
特性http://gll.51dzw.com/（ta = 25°c）
项目符号测量条件最小标准ssm6l09fu最大单位
栅极漏电流igss vgs =±16 v，vds =0⎯±1μa
漏源击穿电压v（br）dss id = 1 ma，vgs = 030⎯⎯v
漏极阻断电流idss vds = 30 v，vgs =0⎯⎯1μa
栅极阈值电压vth vds = 5 v，id = 0.1 ma 1.1 1.8 1.8 v.
正向传输导纳⎪yfs= vds = 5 v，id = 200 ma（注2）270⎯⎯ms
id = 200 ma，vgs = 10 v（注2）⎯0.50.7
漏源导通电阻rds（on）id = 200 ma，vgs = 4 v（注2）0.8 0.8 1.2
id = 200 ma，vgs = 3.3 v（注2）⎯1.01.7
Ω
输入容量ciss⎯20⎯pf
反馈电容crss⎯7⎯pf
输出容量coss
vds = 5 v，vgs = 0，f = 1 mhz
⎯16⎯pf
开启时间ton⎯72⎯切换时间
关闭时间toff
vdd = 5 v，id http://xiangxing.51dzw.com/= 200 ma，
vgs = 0至4v⎯68ns ns
(素材来源：toshiba-semicon-storage.如涉版权问题，请及时联系删除.)
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