晶体振荡器电路图技术指标参数和工作原理
发布时间:2019/3/29 10:00:55 访问次数:13881
低失调电压：±250μv
•低失调电压漂移：±0.5μv/°c
•低噪声：1 khz时为28 nv /√hz
•高共模抑制：110 db
•低偏置电流：±5 pa
•轨到轨输入和输出
•宽带宽：1.25 mhz gbw
•高压摆率：5 v /μs
•低静态电流：每个放大器120μa
•宽电源：±1.35 v至±8 v，2.7 v至16 v.
•强大的emirr性能：emi / rfi滤波器
- 51电子网公益库存:
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- NCN8024DTBR2G
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- M74HC08RM13TR
- M80-8530842
- M80-8531042
- M80-8531242
- MA729
晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；rc（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立rc振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。
rc振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。
影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（emi）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成rc振荡器（硅振荡器）。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立rc振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。选择振荡器时还需要考虑功耗。
分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。cmos放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，hc04反相器门电路的功率耗散电容值是90pf。在4mhz、5v电源下工作时，相当于1.8ma的电源电流。再加上20pf的晶振负载电容，整个电源电流为2.2ma。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10ma ~60ma。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如max7375，工作在4mhz时只需不到2ma的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。
分类
石英晶体振荡器分 非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿晶体振荡器（tcxo）、电压控制晶体振荡器（vcxo）、恒温控制式晶体振荡器（ocxo）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（dcxo/mcxo）等几种类型。其中，无温度补偿式晶体振荡器是最简单的一种，在日本工业标准（jis）中 ，称其为标准封装晶体振荡器（spxo）。
封装
与其它电子元件相似，时钟振荡器亦采用愈来愈小型的封装。根据客户的需要制作各种类型、不同尺寸的晶体振荡器（具体资料请参看产品手册）。通常，较小型的器件比较大型的表面贴装或穿孔封tlv9102idr装器件更昂贵。所以，小型封装往往要在性能、输出选择和频率选择之间作出折衷。
石英晶体振荡器
是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号 。
石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的 。
应用
1．通用晶体振荡器，用于各种电路中，产生振荡频率。
2．时钟脉冲用石英晶体谐振器，与其它元件配合产生标准脉冲信号，广泛用于数字电路中。
3．微处理器用石英晶体谐振器。
4．ctvvtr用石英晶体谐振器。
5．钟表用石英晶体振荡器。
晶体振荡器
是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），
石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；
而在封装内部添加ic组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。
其产品一般用金属外壳封装，
也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
（文章与图片均来源于网络，如有侵权请联系删除）
低失调电压：±250μv
•低失调电压漂移：±0.5μv/°c
•低噪声：1 khz时为28 nv /√hz
•高共模抑制：110 db
•低偏置电流：±5 pa
•轨到轨输入和输出
•宽带宽：1.25 mhz gbw
•高压摆率：5 v /μs
•低静态电流：每个放大器120μa
•宽电源：±1.35 v至±8 v，2.7 v至16 v.
•强大的emirr性能：emi / rfi滤波器
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- M80-8531242
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晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；rc（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立rc振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。
rc振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。
影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（emi）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成rc振荡器（硅振荡器）。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立rc振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。选择振荡器时还需要考虑功耗。
分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。cmos放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，hc04反相器门电路的功率耗散电容值是90pf。在4mhz、5v电源下工作时，相当于1.8ma的电源电流。再加上20pf的晶振负载电容，整个电源电流为2.2ma。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10ma ~60ma。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如max7375，工作在4mhz时只需不到2ma的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。
分类
石英晶体振荡器分 非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿晶体振荡器（tcxo）、电压控制晶体振荡器（vcxo）、恒温控制式晶体振荡器（ocxo）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（dcxo/mcxo）等几种类型。其中，无温度补偿式晶体振荡器是最简单的一种，在日本工业标准（jis）中 ，称其为标准封装晶体振荡器（so）。
封装
与其它电子元件相似，时钟振荡器亦采用愈来愈小型的封装。根据客户的需要制作各种类型、不同尺寸的晶体振荡器（具体资料请参看产品手册）。通常，较小型的器件比较大型的表面贴装或穿孔封tlv9102idr装器件更昂贵。所以，小型封装往往要在性能、输出选择和频率选择之间作出折衷。
石英晶体振荡器
是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号 。
石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的 。
应用
1．通用晶体振荡器，用于各种电路中，产生振荡频率。
2．时钟脉冲用石英晶体谐振器，与其它元件配合产生标准脉冲信号，广泛用于数字电路中。
3．微处理器用石英晶体谐振器。
4．ctvvtr用石英晶体谐振器。
5．钟表用石英晶体振荡器。
晶体振荡器
是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），
石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；
而在封装内部添加ic组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。
其产品一般用金属外壳封装，
也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
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