X、γ射线探测器

X、γ射线探测器 属性

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X、γ射线探测器 描述

双波长探测器

品牌筛选： 全部
First Sensor
OSI Optoelectronics



型号 材料(-) 光敏面尺寸(mm) 工作波长(nm) 响应度(A/W) 分流电阻(MΩ) NEP(W/√Hz) 结电容(pF) 是否制冷(-) 封装(-)
PIN-DSS Si top Ø2.54 400 - 1100 0.45 500@-10mV 1.3E-14 70 　 　
PIN-DSIn Si top Ø2.54 400 - 1100 0.55@870nm 150@-10mV 1.9E-14 150@0v 　 　
PIN-DSIn-TEC Si top Ø2.54 400 - 1100 0.55@870nm 150@-10mV 1.9E-14 450@0v 　 　
WS7.56-PCBA 　 2.75*2.75 450-900 Diode1:0.2@550nm
Diode2:0.45@890nm 　 　 Diode1:1@0v
Diode2:0.1@0v 　 　
WS7.56-TO5 　 2.75*2.75 450-900 Diode1:0.2@550nm 　 　 Diode1:1@0v
Diode2:0.1@0v 　 TO5
WS7.56-TO5i 　 2.75×2.75 450-900 Diode1:0.2@550nm
Diode2:0.45@890nm 　 　 Diode1:1@0v
Diode2:0.1@0v 　 TO5i



X、γ射线探测器

品牌筛选： 全部
OSI Optoelectronics



型号 阵列数(-) 面积(mm2) 尺寸(mm) 响应度(A/W) 噪声等效功率(W/√Hz) 电容(pF) 封装(-)
A2C-16-1.57 16 2.35 2*1.18 0.31 @540nm 5.30e-15 @-10mV 930nm 28@0V 10KHz 　
OSD35-LR-A single 34.2 5.8 * 5.9 0.54 @900nm 5.6e-15 @900nm 1300 @0V ceramic
OSD35-LR-D single 34.2 5.8 * 5.9 0.54 @900nm 1.8e-14 @900nm 1300 @0V ceramic
PIN-RD07 single 7.1 3.00 0.55 @900nm 1.2e-14 @900nm -100V 8.0 @-100V TO-8
PIN-RD100 single 100 10 0.60 @900nm 3.2e-14 @900nm -100V 50 @-100V TO-8
PIN-RD100A single 100 10 0.60 @900nm 3.4e-14 @900nm -100V 40 @-100V ceramic
PIN-RD15 single 14.9 4.35 0.58 @900nm 2.5e-14 @900nm -100V 14 @-100V TO-8
A2C-16-2.57 16 5.28 2.54×2.08 0.31 @540nm 7.50e-15 @-10mV 930nm 70 @0V 10KHz 　
XUV-005 single 5 2.57 　 2.9e-15 @0v 200nm 0.3 @0V TO-5
XUV-020 single 20 5.00 　 5.8e-15 @0v 200nm 1.2 @0V TO-8
XUV-035 single 35 6.78 * 5.59 　 7.4e-15 @0v 200nm 2 @0V TO-8
XUV-100 single 100 11.33 　 1.3e-14 @0v 200nm 6 @0V BNC
XUV-100C single 100 10.00 　 1.3e-14 @0v 200nm 6 @0V ceramic
XUV-50C single 50 8.02 　 9.1e-15 @0v 200nm 2 @0V ceramic

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