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硅雪崩光电二极管

硅雪崩光电二极管产品图片
  • 发布时间:2020/3/27 14:55:13
  • 所属类别:模块 » PIM模块
  • 公    司:深圳双信达智能科技有限公司
  • 联 系 人:销售部
  • 硅雪崩光电二极管供应商

硅雪崩光电二极管属性

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硅雪崩光电二极管描述

硅雪崩光电二极管

品牌筛选: 全部
First Sensor
Laser Components

分类筛选: 全部
高速高增益型 雪崩管
近红外增强型 雪崩管
1064nm 增强型 雪崩管
蓝光增强型 雪崩管
红光增强型雪崩管
reach-through 结构 雪崩管



型号 光敏面直径(µm) 峰值响应(A/W) 暗电流(nA) NEP(W/√Hz) 上升时间(ns) 结电容(pF) 击穿电压(V) 温漂(V/K) 封装(-)
AD230-8-LCC6.1 Ø0.23 50@800nm,M=100 0.25...0.5@M=100 1E-14@M=100 0.18@M=100 1.2@M=100 80-200 0.45 LCC6.1
AD230-8-LCC6.1f Ø0.23 32@800nm,M=100 0.25...0.5@M=100 1E-14@M=100 0.18@M=100 1.2@M=100 80-200 0.45 LCC6.1f
AD230-8-TO52S3 Ø0.23 50@800nm,M=100 0.3@M=100 1E-14@M=100 0.18@M=100 1.2@M=100 80-200 0.45 TO52S3
AD500-8-TO52S2 Ø0.5 50@800nm,M=100 0.5-1@M=100 2E-14@M=100 0.35@M=100 2.2@M=100 120-190 0.45 TO52S2
AD500-9 LCC6.1                  
AD500-9-TO52S1 Ø500 60@905nm@M=100 0.5-1@M=100 2E-14@M=100 0.55@M=100 1.2@M=100 160-240 1.55 TO52S1
SAR500S2 Ø500 60@905,M=100 1.5@M=100   0.45@M=100 1.5@M=100 170-350 1 F2,F3,L3,LP20/40,S2,S3,T6,T8
AD500-9-TO52S3 Ø500 60@905nm@M=100 0.5-1@M=100 2E-14@M=100 0.55@M=100 1.2@M=100 160-240 1.55 TO52S3
SAR1500x Ø1500 60@905,M=100 0.75@M=100   0.5@M=100 4@M=100 200-300 2 E1,G1,T6
SAR3000x Ø3000 60@905,M=100 1@M=100   0.5@M=100 7@M=100 200-300 2 E1,G1,T6
SARP500X Ø500 60@905,M=100 0.5@M=100   0.45@M=100 1.5@M=100 170-350 1 F2,F3,L3,LP20/40,S2,S3,T6,T8
AD100-8-TO52S1 Ø0.1 50@800nm,M=100 0.05@M=100 3E-15   0.8@m=100 120-190 0.45 TO52S1
AD230-8-TO52S1 Ø0.23 50@800nm,M=100 0.3@M=100 1E-14@M=100 0.18@M=100 1.2@M=100 80-200 0.45 TO52S1
AD500-8-LCC6.1 Ø0.5 50@800nm,M=100 0.25...0.5@M=100 2E-14@M=100 0.35@M=100 2.2@M=100 80-200 0.45 LCC6.1
AD500-8-LCC6.1f Ø0.5 32@800nm,M=100 0.25...0.5@M=100 2E-14@M=100 0.35@M=100 2.2@M=100 80-200 0.45 LCC6.1f
AD500-8-TO52S1 Ø0.5 50@800nm,M=100 0.5-1@M=100 2E-14@M=100 0.35@M=100 2.2@M=100 80-200 0.45 TO52S1



硅雪崩光电二极管

品牌筛选: 全部
First Sensor
Laser Components

分类筛选: 全部
高速高增益型 雪崩管
近红外增强型 雪崩管
1064nm 增强型 雪崩管
蓝光增强型 雪崩管
红光增强型雪崩管
reach-through 结构 雪崩管



型号 光敏面直径(µm) 峰值响应(A/W) 暗电流(nA) NEP(W/√Hz) 上升时间(ns) 结电容(pF) 击穿电压(V) 温漂(V/K) 封装(-)
AD500-8-TO52S3 Ø0.5 50@800nm,M=100 0.5-1@M=100 2E-14@M=100 0.35@M=100 2.2@M=100 80-200 0.45 TO52S3
AD800-8-TO5i Ø0.8 50@800nm,M=100 2@M=100 4E-14 0.7@M=100 5@M=100 120-190 0.45 TO5i
AD1100-8-TO5i Ø1.13 0.5@800nm,M=100 4-6@M=100 8E-14@M=100 1@M=100 8@M=100 120-190 0.45 TO5i
AD1900-8-TO5i Ø1.95 0.5@800nm,M=100 15@M=100 1.5E-13@M=100 1.4@M=100 20@M=100 120-190 0.45 TO5i
AD2500-8-TO5i Ø2.52 50@800nm,M=100 20@M=100 3E-13@M=100 1.5@M=100 28@M=100 120-190 0.45 TO5i
AD3000-8-TO5i Ø3 50@800nm,M=100 30@M=100 9E-13@M=100 2@M=100 45@M=100 120-190 0.45 TO5i
AD5000-8-TO8i Ø5 50@800nm,M=100 60@M=100 9E-13@M=100 3@M=100 120@M=100 120-190 0.45 TO8i
SAE230VX 230 650 10   450 4@M=100 230 0.2 L3,M8,S2,S3,T6,Y1,Y2
SAE500VX 500 650 10   450 4@M=100 230 0.2 L3,M8,S2,S3,T6,Y1,Y2
AA8-9SOJ22GL 1000×405×8 60@905nm@M=100 5@M=100 2E-14@M=100 2@M=100 2@M=100 100-300 1.55 SOJ22GL
AA16-0.13-20SOJ22GL 648×208×16 60@905nm@M=100 5@M=100 2E-14@M=100 2@M=100 1.5@M=100 100-300 1.55 SOJ22GL
AA16-9DIL18 648×208×16 60@905nm@M=100 5@M=100 2E-14@M=100 2@M=100 2@M=100 100-300 1.55 DLIL18
AA16D-20SOJ22GL 1000×405×16 60@905nm@M=100 5@M=100 2E-14@M=100 2@M=100 2@M=100 100-300 1.55 SOJ22GL
AD003B-9-TO5i 1100×300 60@905nm@M=100 2@M=100 3E-14@M=100 1@M=100 2@M=100 Min 120 1.55 TO5i
AD100-9-TO52S1 Ø100 50@905nm@M=100 0.1@M=100 6E-15@M=100 0.5@M=100 0.6@M=100 180-240 1.55 TO52S1
AD230-9-TO52S1 Ø230 60@905nm@M=100 0.6@M=100 1E-14@M=100 0.5@M=100 0.8@M=100 160-240 1.55 TO52S1



硅雪崩光电二极管

品牌筛选: 全部
First Sensor
Laser Components

分类筛选: 全部
高速高增益型 雪崩管
近红外增强型 雪崩管
1064nm 增强型 雪崩管
蓝光增强型 雪崩管
红光增强型雪崩管
reach-through 结构 雪崩管



型号 光敏面直径(µm) 峰值响应(A/W) 暗电流(nA) NEP(W/√Hz) 上升时间(ns) 结电容(pF) 击穿电压(V) 温漂(V/K) 封装(-)
AD230-9-TO52S3 Ø230 60@905nm@M=100 0.6@M=100 1E-14@M=100 0.5@M=100 0.8@M=100 160-240 1.55 TO52S3
AD500-9TO52S1F2 Ø500 52@905nm@M=100 0.5-1@M=100 2E-14@M=100 0.55@M=100 1.2@M=100 120-300 1.55 TO52S1F2
AD500-9-TO52S2 Ø500 60@905nm@M=100 0.5-1@M=100 2E-14@M=100 0.55@M=100 1.2@M=100 180-240 1.55 TO52S2
AD800-9-TO5i Ø800 60@905nm@M=100 2@M=100 4E-14@M=100 1.3@M=100 2@M=100 180-240 1.55 TO5i
AD1100-9-TO5i Ø1130 60@905nm@M=100 4-6@M=100 8E-14@M=100 1.3@M=100 3@M=100 180-240 1.55 TO5i
AD1900-9-TO5i Ø1950 60@905nm@M=100 15@M=100 1.5E-13@M=100 1.4@M=100 8@M=100 180-240 1.55 TO5i
AD2500-9-TO5i Ø2520 60@905nm@M=100 20@M=100 3E-13@M=100 1.5@M=100 12@M=100 180-240 1.55 TO5i
AD3000-9-TO5i Ø3000 60@905nm@M=100 30@M=100 4.5E-13@M=100 2@M=100 18@M=100 180-240 1.55 TO5i
AD5000-9-TO8i Ø5000 60@905nm@M=100 60@M=100 9E-13@M=100 3@M=100 45@M=100 180-240 1.55 TO8i
SAE230NX Ø230 50@880nm@M=100 1.0@M=100 - 0.5@M=100 1@M=100 230 0.6 f3,l3,m8,m8f,s2,s3,t6,y1,y2
SAE500NX Ø500 50@880nm@M=100 1.0@M=100 4E-14@M=100 0.5@M=100 2@M=100 150-300@ld=10µA 0.6 f3,l3,m8,m8f,s2,s3,t6,y1,y2
AD500-10-TO5i Ø500 40@1060nm@M=100 5@M=100   5@1060,VOP,5Ω 0.8@M=100 320-500 3.5 TO5i
AD1500-10-TO5i Ø1500 45@1060nm@M=100 10@M=100   8@1060,VOP,5Ω 1.9@M=100 300-500 3.5 TO5i
AD800-11-TO52S1 Ø800 25@400,M=100 1@M=100 1E-14@M=100 1@410nm,50Ω 2.5@1000kHz,M=100 100-200 0.88 TO52S1
AD1900-11-TO5i Ø1900 25@400,M=100 5@M=100 2.5E-14@M=100 2@410nm,50Ω 10@1000kHz,M=100 100-200 0.88 TO5i
AD100-8 SMD                  



硅雪崩光电二极管

品牌筛选: 全部
First Sensor
Laser Components

分类筛选: 全部
高速高增益型 雪崩管
近红外增强型 雪崩管
1064nm 增强型 雪崩管
蓝光增强型 雪崩管
红光增强型雪崩管
reach-through 结构 雪崩管



型号 光敏面直径(µm) 峰值响应(A/W) 暗电流(nA) NEP(W/√Hz) 上升时间(ns) 结电容(pF) 击穿电压(V) 温漂(V/K) 封装(-)
800-10 TO8Si 800 36@1064nm@M=100 3@M=100   5@1064nm,VOP,50Ω 1@M=100 220-600 3.3 TO8Si




 

 


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  • 联系人:销售部
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