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InGaAs雪崩光电二极管

InGaAs雪崩光电二极管产品图片
  • 发布时间:2017-7-21 13:24:48
  • 所属类别:模块 » PIM模块
  • 公    司:深圳双信达智能科技有限公司
  • 联 系 人:销售部
  • InGaAs雪崩光电二极管供应商

InGaAs雪崩光电二极管属性

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InGaAs雪崩光电二极管描述

InGaAs雪崩光电二极管

品牌筛选:全部
LaserComponents



型号光敏面积(-)峰值响应(A/W)暗电流(nA)噪声等效功率(pW/sqrtHz)上升时间(ns)带宽(GHz)击穿电压(V)温度(V/°C)封装(-)
IAG080XØ8010@1550nm10.10.142.5@M=10650.06S5,S6,S7,T6,T8,Y1
IAG200XØ20010@1550nm80.0320.231.5@M=10630.075S5,S6,S7,T6,T8,Y1
IAG350XØ35010@1550nm1900.120.580.6@M=10550.078S5,S6,S7,T6,T8,Y1



硅雪崩光电二极管>近红外增强型雪崩管

品牌筛选:全部
FirstSensor
LaserComponents



型号光敏面直径(µm)峰值响应(A/W)暗电流(nA)NEP(W/√Hz)上升时间(ns)结电容(pF)击穿电压(V)温漂(V/K)封装(-)
AD500-9LCC6.1         
AD500-9-TO52S1Ø50060@905nm@M=1000.5-1@M=1002E-14@M=1000.55@M=1001.2@M=100160-2401.55TO52S1
AD500-9-TO52S3Ø50060@905nm@M=1000.5-1@M=1002E-14@M=1000.55@M=1001.2@M=100160-2401.55TO52S3
AA8-9SOJ22GL1000×405×860@905nm@M=1005@M=1002E-14@M=1002@M=1002@M=100100-3001.55SOJ22GL
AA16-0.13-20SOJ22GL648×208×1660@905nm@M=1005@M=1002E-14@M=1002@M=1001.5@M=100100-3001.55SOJ22GL
AA16-9DIL18648×208×1660@905nm@M=1005@M=1002E-14@M=1002@M=1002@M=100100-3001.55DLIL18
AA16D-20SOJ22GL1000×405×1660@905nm@M=1005@M=1002E-14@M=1002@M=1002@M=100100-3001.55SOJ22GL
AD003B-9-TO5i1100×30060@905nm@M=1002@M=1003E-14@M=1001@M=1002@M=100Min1201.55TO5i
AD100-9-TO52S1Ø10050@905nm@M=1000.1@M=1006E-15@M=1000.5@M=1000.6@M=100180-2401.55TO52S1
AD230-9-TO52S1Ø23060@905nm@M=1000.6@M=1001E-14@M=1000.5@M=1000.8@M=100160-2401.55TO52S1
AD230-9-TO52S3Ø23060@905nm@M=1000.6@M=1001E-14@M=1000.5@M=1000.8@M=100160-2401.55TO52S3
AD500-9TO52S1F2Ø50052@905nm@M=1000.5-1@M=1002E-14@M=1000.55@M=1001.2@M=100120-3001.55TO52S1F2
AD500-9-TO52S2Ø50060@905nm@M=1000.5-1@M=1002E-14@M=1000.55@M=1001.2@M=100180-2401.55TO52S2
AD800-9-TO5iØ80060@905nm@M=1002@M=1004E-14@M=1001.3@M=1002@M=100180-2401.55TO5i
AD1100-9-TO5iØ113060@905nm@M=1004-6@M=1008E-14@M=1001.3@M=1003@M=100180-2401.55TO5i
AD1900-9-TO5iØ195060@905nm@M=10015@M=1001.5E-13@M=1001.4@M=1008@M=100180-2401.55TO5i



硅雪崩光电二极管>近红外增强型雪崩管

品牌筛选:全部
FirstSensor
LaserComponents



型号光敏面直径(µm)峰值响应(A/W)暗电流(nA)NEP(W/√Hz)上升时间(ns)结电容(pF)击穿电压(V)温漂(V/K)封装(-)
AD2500-9-TO5iØ252060@905nm@M=10020@M=1003E-13@M=1001.5@M=10012@M=100180-2401.55TO5i
AD3000-9-TO5iØ300060@905nm@M=10030@M=1004.5E-13@M=1002@M=10018@M=100180-2401.55TO5i
AD5000-9-TO8iØ500060@905nm@M=10060@M=1009E-13@M=1003@M=10045@M=100180-2401.55TO8i
SAE230NXØ23050@880nm@M=1001.0@M=100-0.5@M=1001@M=1002300.6f3,l3,m8,m8f,s2,s3,t6,y1,y2
SAE500NXØ50050@880nm@M=1001.0@M=1004E-14@M=1000.5@M=1002@M=100150-300@ld=10µA0.6f3,l3,m8,m8f,s2,s3,t6,y1,y2




 

 

 

 


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