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DS1220AD-200IND+详细规格: 类别：存储器; 描述：IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP; 系列：-; 制造商：Maxim Integrated; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：NVSRAM（非易失 SRAM）; 存储容量：16K (2K x 8); 速度：200ns; 接口：并联; 电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）; 供应商器件封装：24-EDIP; 包装：管件

DS1220AD-200IND+供应商

IHSM5832PJ820L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 82UH 1.14A SMD
GS-3-100-4701-F-LF
通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 4.7K OHM 3W 1% AXL
LGY2G471MELC
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 400V 20% SNAP
DS1220AD-150
存储器 Maxim Integrated 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP
GRM31MR71H474KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206
IDT70V657S12BF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208FBGA
IMC1812ER12NM
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 12NH 20% 1812
IHSM5832RF2R2L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 2.2UH 8.5A SMD
DSP2A-DC5V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
GRM31MR71H474KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206
IDT70V657S12DRI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP
LGY2V101MELZ
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 100UF 350V 20% SNAP
IMC1812ER150K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 15UH 10% 1812
GS4901BCNE3
时钟/计时 - 专用 Semtech 64-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK GEN SYNTHESIZER
DSP2A-DC5V-R
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V

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