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IHSM5832RF2R2L详细规格: 类别：固定式; 描述：INDUCTOR POWER 2.2UH 8.5A SMD; 系列：IHSM-5832; 制造商：Vishay Dale; 类型：铁氧体芯体; 电感：2.2µH; 电流：; 额定电流：8.5A; 电流_饱和值：4A; 容差：±15%; 材料_磁芯：铁氧体; 屏蔽：无屏蔽; DC电阻333DCR444：最大 15 毫欧; 不同频率时的Q值：-; 频率_自谐振：-; 工作温度：-55°C ~ 125°C; 封装/外壳：非标准; 大小/尺寸：0.640" L x 0.320" W x 0.285" H（16.26mm x 8.13mm x 7.24mm）; 安装类型：表面贴装; 包装：带卷 (TR)

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IDT70V639S12PRF8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP
IMC1812ER101K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
DSP2A-DC12V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V
IHSM5832PJ820L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 82UH 1.14A SMD
GS-3-100-4701-F-LF
通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 4.7K OHM 3W 1% AXL
LGY2G471MELC
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 400V 20% SNAP
DS1220AD-150
存储器 Maxim Integrated 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP
GRM31MR71H474KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206
IDT70V657S12BF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208FBGA
DSP2A-DC5V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
GS-3-100-9093-F-LF
通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 909K OHM 3W 1% AXL
DS1220AD-200IND+
存储器 Maxim Integrated 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
GRM31MR71H474KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206
IDT70V657S12DRI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP
LGY2V101MELZ
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 100UF 350V 20% SNAP

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