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IDT70V639S12PRF8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，异步; 存储容量：2.25M（128K x 18）; 速度：12ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：128-LQFP; 供应商器件封装：128-TQFP（14x20）; 包装：带卷 (TR)

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GRM31MR71H105KA88L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 50V 10% X7R 1206
IMC1812ER101K
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DSP25-12A
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IMC1812ER101K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
DSP2A-DC12V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V
IHSM5832PJ820L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 82UH 1.14A SMD
GS-3-100-4701-F-LF
通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 4.7K OHM 3W 1% AXL
LGY2G471MELC
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 400V 20% SNAP
DS1220AD-150
存储器 Maxim Integrated 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP