STD12NF06-1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：315pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
STD12NF06L-1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
STD12NF06LT4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
STD12NF06LT4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
STD12NF06LT4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
STD12NF06T4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 6A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：315pF @ 25V
- 功率_最大：30W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
- TVS - 二极管 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TVS ZENER 40W 27V DUAL CC SOT23
- 钽 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 33UF 25V 20% 2824
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can CAP ALUM 680UF 50V 20% RADIAL
- 矩形- 接头，公引脚 Samtec Inc CONN HEADER 82POS .100" DL GOLD
- 逻辑 - 触发器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC FLIP FLOP D-TYPE DUAL 14SOIC
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC MOSFET DVR .5A HS 8DIP
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
- TVS - 二极管 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TVS ZENER 40W 27V DUAL SOT-23
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-243AA TRANSISTOR NPN HV 300V SOT89
- 逻辑 - 触发器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DUAL D-TYPE FLIP-FLOP 14TSSOP
- 矩形- 接头，公引脚 Samtec Inc CONN HEADER 82POS .100" DL GOLD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MOSFET DVR 1A HS 8SOIC
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 钽 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 33UF 35V 20% 2824
0755-83202411 
0755-82533156 
0755-88917652 
0755-82524712 
0755-88291559 
0755-22655674 
0755-82574045 
19166203057 
0755-23140719 
18922805453 
0755-83798683 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-82533534 
18026926850/0 
0512-67241533 
