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STD12N65M5详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：650V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：430 毫欧 @ 4.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 100V; 功率_最大：70W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

STD12N65M5详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：650V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：430 毫欧 @ 4.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 100V; 功率_最大：70W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

STD12N65M5详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：650V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：430 毫欧 @ 4.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 100V; 功率_最大：70W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

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