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SIA914DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 3.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11.5nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 10V; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：Digi-Reel®

SIA914DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 3.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11.5nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 10V; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：带卷 (TR)

SIA914DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 3.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11.5nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 10V; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：剪切带 (CT)

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SIA914DJ-T1-GE3 北京显周科技有限公司 13910052844（微
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SM4124FTR301
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 0.301 OHM 2W 1% WW 4124
SZ1SMB5939BT3G
TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 3W 39V SMB
SIA912DJ-T1-GE3
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SM4124FTR357
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SSK-124-S-G
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 24POS GOLD T/H
SZ1SMB5941BT3G
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STPS10L40CG-TR
二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE SCHOTTKY 40V 5A D2PAK
SI7461DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
STS8C5H30L
FET - 阵列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
SWH25X-NULC-S07-UU-BA
矩形 - 外壳 Sullins Connector Solutions 径向 CONN RCPT .100" SNGL BEIGE 7POS

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