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SI7956DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

SI7956DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI7956DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

SI7956DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

SI7956DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

SI7956DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI2300DS-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V SOT-23
VI-B1L-EV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 150W
SI7942DP-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DL N-CH 100V PPAK 8-SOIC
SL-123-G-11
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盘 CONN RCPT .100" 23POS GOLD PCB
VI-B3Y-CW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W
VI-B51-EV-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W
VI-B0J-EX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
VI-BN4-IX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
SI2301BDS-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
SL-123-TT-12
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 塑模盘 CONN RCPT .100" 23POS TIN PCB
VI-B51-EW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
VI-B3Y-CX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
VI-BN4-IX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
VI-B0J-EX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
VI-B1L-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W

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