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SI2301BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2301BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2301BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

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TLCR107M004XTA
钽 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP TANT 100UF 4V 20% 0805
TLP197G(TP,F)
固态 Toshiba 6-SOP (0.173", 4.40mm) PHOTORELAY MOSFET OUTPUT 6-SOP
TFPT0805L6800JV
热敏电阻 - PTC Vishay Dale 0805（2125 公制） THERMISTOR PTC 680 OHM 5% 0805
TMS320DM355DZCE270
嵌入式 - DSP（数字式信号处理器） Texas Instruments 337-LFBGA IC DGTL MEDIA SOC 337NFBGA
NMJ1215SAC
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模块（4 引线） CONV DC/DC 1W 12VIN 15V 5.2KV
TISP7180F3SL
TVS - 晶闸管 Bourns Inc. 径向 - 3 引线 SURGE SUPP 145V BIDIR 3-SL