SI7901EDN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH D-S 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫欧 @ 6.3A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 800µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:带卷 (TR)
SI7901EDN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH D-S 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫欧 @ 6.3A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 800µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 560PF 500V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2.4PF 150V 0605
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 14.7K OHM 1/10W .5% SMD 0603
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 1000PF 150V 10% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 68PF 500V 5% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2.7PF 150V 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 1000PF 150V 10% 1111
- DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 2A 12V .9-3.63VOUT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 820PF 500V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 150K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2.7PF 150V 0605
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC