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SI4840BDY-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

型号：厂商：批号：封装：
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SI4840BDY-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 12.4A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 20V
功率_最大：6W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC N
包装：带卷 (TR)

SI4840BDY-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC
系列：*
制造商：Vishay Siliconix
FET型：
FET特点：
漏极至源极电压333Vdss444：
电流_连续漏极333Id4440a025000C：
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
Id时的Vgs333th444（最大）：
闸电荷333Qg4440a0Vgs：
输入电容333Ciss4440a0Vds：
功率_最大：
安装类型：
封装/外壳：
供应商设备封装：
包装：

SI4840BDY-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC
系列：*
制造商：Vishay Siliconix
FET型：
FET特点：
漏极至源极电压333Vdss444：
电流_连续漏极333Id4440a025000C：
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
Id时的Vgs333th444（最大）：
闸电荷333Qg4440a0Vgs：
输入电容333Ciss4440a0Vds：
功率_最大：
安装类型：
封装/外壳：
供应商设备封装：
包装：

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