SI7820DN-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI7820DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 2.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7820DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 2.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7820DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 2.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7820DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 2.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7820DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 2.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7820DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 2.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:Digi-Reel®
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 8.0V 400W UNI 5% SMD
- 电路板衬垫,支座 Richco Plastic Co SPACER RND PLAST 1/4BOLT 1/2"
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 32K FLASH 44-LQFP
- PMIC - LED 驱动器 NXP Semiconductors IC DRIVER LED SSL 7SOIC
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 33UH 3.0A SMD
- 固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR 22UH 3.5A 20% SMD
- 铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 0603(1608 公制) FERRITE CHIP BEAD 2200 OHM SMD
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC,SMA TVS UNIDIRECT 400W 8.0V SMA
- PMIC - LED 驱动器 NXP Semiconductors IC DRIVER LED SSL 7SOIC
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 32K FLASH 44-LQFP
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 39UH 2.8A SMD
- 固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR SHIELD PWR 220UH 12565
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 10UF 50V 20% RADIAL
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC,SMA TVS UNIDIRECT 400W 8.0V SMA