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SI7820DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

SI7820DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7820DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：Digi-Reel®

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SI7820DN-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
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TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 8.0V SMA
SSL21153T/1,118
PMIC - LED 驱动器 NXP Semiconductors IC DRIVER LED SSL 7SOIC
ST72F324BJ6TAE
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 32K FLASH 44-LQFP
SRR1260-390M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 39UH 2.8A SMD
SLF12565T-221M1R0-PF
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR SHIELD PWR 220UH 12565
SS100M050ST
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can CAP ALUM 10UF 50V 20% RADIAL
SMAJ8.0A-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 8.0V SMA