

SI7308DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 5.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:19.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7308DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 5.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:19.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7308DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 5.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:19.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7308DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 5.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:19.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7308DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 5.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:19.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7308DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 5.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:19.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:Digi-Reel®
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 100POS DUAL GOLD
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 单 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA,SMB DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMB
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS UNIDIRECT 400W 10V 5% SMA
- 保险丝 Bel Fuse Inc 2-SMD,带夹子的方形端块 FUSE 1.25A 125VAC 2410 FAST
- RFID 发射应答器,标签 STMicroelectronics 15mm x 15mm IC MEMORY ANTI-CLONE ADHESIV ANT
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA,SMB DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMB
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS UNIDIR 400W 10V 5% SMA
- 配件 - 帽盖 C&K Components 晶片 CAP USE W/SERU AU OA BRN
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8