SI5504BDC-T1-GE3的供应信息|PDF资料|求购SI5504BDC-T1-GE3上51电子网

SI5504BDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5504BDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5504BDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

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SR072A330GARTR1
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SR205E104MART
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FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8