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SI7116DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫欧 @ 16.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

SI7116DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫欧 @ 16.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7116DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫欧 @ 16.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：Digi-Reel®

SI7116DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫欧 @ 16.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

SI7116DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫欧 @ 16.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：Digi-Reel®

SI7116DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫欧 @ 16.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：剪切带 (CT)

RV-1215S
DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模块（14 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN 15VOUT
STD2NK100Z
FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
SI7114DN-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
SRT2-OD04CL-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM IP67 4PT OUTPUTS PNP
RTD-1505-R
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 15VIN +/-05VOUT
SSCSNBN030NDAC5
压力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP，双端口，同侧 SENSOR PRESS DIFF 30"H20
ST4ETA100
微調器 Copal Electronics Inc 14-DIP（0.300"，7.62mm） TRIMMER 10 OHM 0.25W SMD
ST201612SS
箱 Hammond Manufacturing 2-SMD BOX ST STEEL 24.3X16X12" NAT
STD2NK70Z-1
FET - 单 STMicroelectronics TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
SRT2-OD08-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM 8PT OUTPUT PNP
RTD-1509/H-R
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 15VIN +/-09VOUT
ST201C146MAJ03
陶瓷 AVX Corporation 堆栈式 SMD，6 个 J 型接脚 CAP CER 14UF 100V 20% X7R SMD
SSCSNBN030PDAC5
压力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP，双端口，同侧 SENSOR PRES 30PSI DIFF 5V SIP
ST4ETA102
微調器 Copal Electronics Inc 14-DIP（0.300"，7.62mm） TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD
RV-1215S/R6.4
DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模块（14 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN 15VOUT

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