SI7114DN-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

SI7114DN-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.7A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? 1212-8

供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8

包装：Digi-Reel®

SI7114DN-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.7A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? 1212-8

供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8

包装：带卷 (TR)

SI7114DN-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.7A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? 1212-8

供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8

包装：剪切带 (CT)