SI6966EDQ-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI6966EDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 5.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6966EDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 5.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 250 OHM 1/8W 0.01% 1206
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
- 固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 10UH 1.04A 100KHZ
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 12.1K OHM 1% AXIAL
- RF FET STMicroelectronics M252 TRANSISTOR RF POWER LDMOST M252
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 15K OHM 1/8W 0.01% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 8"
- 固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 15UH 0.82A 100KHZ
- 光学 - 光电检测器 - 逻辑输出 Honeywell Sensing and Control TO-46-3 透镜顶部金属罐 PHOTODETECTOR SCHMITT TO-46
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 140K OHM 1% AXIAL
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1210(3225 公制) RES 169 OHM 1/5W 0.1% 1210
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN SOLDER CUP