SI4435DY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1604pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4435DY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1604pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4435DY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2320pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
SI4435DY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1604pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4435DYPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2320pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
SI4435DYTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2320pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC RX AMFM RADIO RDS 24SSOP
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 33V UNIDIR SMB
- PTC 可复位保险丝 TE Connectivity 径向 POLYSWITCH PTC 6A KINKED AMMO
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc 40-DIP(0.600",15.24mm) BIG CHIP LED HB MODULE GREEN
- 热缩管 TE Connectivity 2010(5025 公制) HEAT SHRINK TUBING
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 20-UFQFN 裸露焊盘 IC RAD RX AM/FM/SW/LW/AUX 20QFN
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.022UF 50V 5% RADIAL
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 620 OHM 4 RES 1206
- PTC 可复位保险丝 TE Connectivity 径向 POLYSWITCH PTC RESET 7A HOLD
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc 40-DIP(0.600",15.24mm) BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
- RF 评估和开发套件,板 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) BOARD EVAL SI4735 VERSION C
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 6.2K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 33V BIDIRECT SMB
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc 40-DIP(0.600",15.24mm) BIG CHIP LED HB MODULE WHITE