SI6473DQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 9.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.08W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6473DQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 9.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.08W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 评估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 64-TQFP DAUGHTER CARD W/DISCRETE INTRFC
- 连接器,互连器件 CUI Inc DO-200AA,A-PUK CONN DIN PLUG LOCKING IN-LINE 4P
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 压力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP SENSOR PRESS DIFF 15PSI
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 1.82K OHM 1% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 38.3K OHM 1/8W 0.5% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE
- 单二极管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE FAST REC 1600V 450A B-8
- 压力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP SCC DIFF GAGE 0 PSID TO 15 PSID
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 1M OHM 1% AXIAL
- 单二极管/整流器 Vishay Semiconductors B-8 DIODE FAST REC 1600V 400A B-8
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 40.2K OHM 1/8W 0.5% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 51POS PIN 18" WIRE