SI4410DY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1350pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4410DY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1585pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
SI4410DY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1350pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4410DY,518详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10A SOT96-1
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
SI4410DY,518详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10A SOT96-1
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
SI4410DYPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1585pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 50W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 0805(2012 公制) CAP CER 470PF 100V 10% NP0 0805
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1210(3225 公制) CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 1210
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 150W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 150W
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- AC DC 转换器 Vicor Corporation 模块 POWER SUPPL SINGLE-OUT 28V 20A
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 200W
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-LESOP(0.181",4.60mm 宽) OSC CMOS PROG 3.3V OE SMD
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
- 显示器模块 - LCD,OLED 字符和数字 Varitronix 模块 LCD 4 DIGIT .5" REFL
- 陶瓷 Vishay Vitramon 0805(2012 公制) CAP CER 560PF 100V 10% NP0 0805
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 200W
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-TESOP(0.110",2.80mm 宽) OSC CMOS PROG 3.3V OE SMD