SI4463BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 13.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4463BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 13.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4463BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 13.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4463BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 13.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4463BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 13.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4463BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 13.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- DIP C&K Components SC-75,SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 294K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 4.32KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 270PF 100V 5% RADIAL
- DIP C&K Components SC-75,SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
- 固定式 AlfaMag Electronics, LLC 径向 INDUCTOR 220UH 1.4A 50KHZ THD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DL N-CH 60V PPAK 1212-8
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 4.42KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- 传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft 径向 SHLD MINIMIZER STR EXTENSION
- DIP C&K Components SC-75,SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 270PF 100V 10% RADIAL