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SI4425BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4425BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4425BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4425BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 11.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4425DDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.8 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2610pF @ 15V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4425DDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.8 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2610pF @ 15V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SK36-7
单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AB，SMC DIODE SCHOTTKY SMD 60V 3A SMC
SI7272DP-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4421DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
SI5481DU-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 单 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
RYM12DRMH-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND
SMAJ10A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 10V 400W UNI 5% SMA
SRIX4K-A3S/1GE
RFID 发射应答器，标签 STMicroelectronics 38mm x 38mm IC MEMORY ANTI-CLONE ADHESIV ANT
SSQ-150-03-G-D
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 100POS DUAL GOLD
SI7288DP-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
SK36B-LTP
单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMB
RYM12DRSN-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
SMAJ10A-E3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 10V 5% SMA
SSQC 1.25
保险丝 Bel Fuse Inc 2-SMD，带夹子的方形端块 FUSE 1.25A 125VAC 2410 FAST
SRIX4K-A4S/1GE
RFID 发射应答器，标签 STMicroelectronics 15mm x 15mm IC MEMORY ANTI-CLONE ADHESIV ANT
SI5504BDC-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8

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