SI4420DY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2180pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4420DY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2240pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
SI4420DY,518详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A SOT96-1
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
SI4420DYPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2240pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
SI4420DYTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2240pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
SI4420DYTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:78nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2240pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 4.42K OHM 1/8W 0.5% 1206
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP
- 接口 - UART(通用异步接收器/发送器) NXP Semiconductors 44-LCC(J 形引线) IC DUART SOT187-2
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER SHIELD 27UH SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 432K OHM 1% AXIAL
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 24"
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 5.36K OHM 1/8W 0.5% 1206
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH 20V 6-TSOP
- 接口 - UART(通用异步接收器/发送器) NXP Semiconductors 28-DIP(0.600",15.24mm) IC DUART 28-DIP
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 10.0UH SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 511 OHM 1% AXIAL
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 619 OHM 1/8W 0.5% 1206
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP