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SI6925ADQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

SI6925ADQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI6925ADQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：800mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

SI6925ADQ-T1-GE3供应商

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SI6562DQ-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
SH194P36
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SI4206-EVB
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SR151A121KAR
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RT0805CRD07127RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 127 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT-375-1/2-X-STK
热缩管 TE Connectivity 2010（5025 公制） HEAT SHRINK TUBING
RTD-1212
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN +/-12VOUT
SH195P144
传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft MINI-MZR SHLD PIN STR SGL END
SR151A150JAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 15PF 100V 5% RADIAL
SI4210-E-KT-EVB
过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD EMULATION FOR SI4210
RT0805CRD0712KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 12.0K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT-375-1-X-STK
热缩管 TE Connectivity 2010（5025 公制） HEAT SHRINK TUBING