SI4420BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4420BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4420BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4420BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4420BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4420BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- 气体放电管 (GDT) Littelfuse Inc 1812(4532 公制) SURGE ARRESTER GDT 90V 2KA SMD
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- PMIC - AC-DC 转换器,离线开关 STMicroelectronics 10-SOP(0.154",3.90mm 宽) IC OFFLINE SWITCH PWM 10-SSOP
- 陶瓷 Vishay Vitramon 0805(2012 公制) CAP CER 10000PF 100V X7R 0805
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 50W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 3300PF 630V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 100V 10% X7R 1210
- 振荡器 EPSON 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 33.3333MHZ+-1.5%CTR-SPRD SMD
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 0805(2012 公制) CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 0805
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 100V 10% X7R 1210
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 0.033UF 200V 5% X7R 1206
- 振荡器 EPSON 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 50.0000MHZ+-2.0%CTR-SPRD SMD