SI4413CDY-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

SI4413CDY-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：-

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：Digi-Reel®

SI4413CDY-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：-

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：剪切带 (CT)

SI4413CDY-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：-

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：带卷 (TR)