SI4404DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 23A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4404DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 23A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- PTC 可复位保险丝 Bourns Inc. 1210(3225 公制),凹陷 FUSE PTC RESET 1.75A HLD SMD
- 振荡器 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR 4.0000MHZ SMD
- PMIC - 电源分配开关 Micrel Inc 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC PCMCIA/CARDBUS CTRLR 14-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0402(1005 公制) RES 10 OHM 1/6W 5% 0402
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/4W 5.49K OHM 1% AXIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(SH) MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK
- 垫圈 B&F Fastener Supply 带 WASHER FLAT M6 STEEL
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 3300UF 50V 20% SNAP
- PMIC - 电源分配开关 Micrel Inc 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CTRLR PCMCIA CARDBUS 14SOIC
- 振荡器 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSC 25.0000MHZ 5.0V+/-100PPM SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 5.1 OHM 1/4W 1% AXIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
- 压接器,施用器,压力机 Amphenol Sine Systems Corp 带 TOOL HAND CONTACT STAMPED 20AWG
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 3300UF 100V 20% SNAP