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SIE836DF-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 100V; 功率_最大：104W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-PolarPAK?（SH）; 供应商设备封装：10-PolarPAK?（SH）; 包装：剪切带 (CT)

SIE836DF-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 100V; 功率_最大：104W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-PolarPAK?（SH）; 供应商设备封装：10-PolarPAK?（SH）; 包装：Digi-Reel®

SIE836DF-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 100V; 功率_最大：104W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-PolarPAK?（SH）; 供应商设备封装：10-PolarPAK?（SH）; 包装：带卷 (TR)

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