SI4100DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫欧 @ 4.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
- 功率_最大:6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4100DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫欧 @ 4.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
- 功率_最大:6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
SI4100DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫欧 @ 4.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
- 功率_最大:6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
SI4100DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫欧 @ 4.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
- 功率_最大:6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
SI4102DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:158 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 50V
- 功率_最大:4.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4102DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:158 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:370pF @ 50V
- 功率_最大:4.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- RF 发射器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 IC TX 240-930MHZ 1-20DB 20VQFN
- 固态硬盘驱动器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 32GB
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 226K OHM 1% AXIAL
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT SOLDER CUP
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 2.21K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
- 显示器模块 - LED 点阵和簇 OSRAM Opto Semiconductors Inc 矩形接线盒 DISPLAY 10CHAR .145" 5X5 HEG
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 60A PPAK 8SOIC
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/8W 226 OHM 1% AXIAL
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT SOLDER CUP
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 33.2 OHM 1% 0603 SMD
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接线盒 CAP FILM 0.68UF 1.2KVDC SCREW
- 固态硬盘驱动器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 304GB