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SI7160DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.7 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2970pF @ 15V; 功率_最大：27.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7160DP-T1-E3供应商

SCD335K601A3Z25-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接线盒 CAP FILM 3.3UF 600VDC SCREW
SI4490DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 200V 8-SOIC
SI7148DP-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 75V 28A PPAK 8SOIC
SI4022-A0-FTR
RF 发射器 Silicon Laboratories Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC TX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP
SD6XA-008G-000000
固态硬盘驱动器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 8GB
RNF18FTD215K
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 215K OHM 1% AXIAL
MDM-51SSF
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT SOLDER CUP
SI4490DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 200V 8-SOIC
SCD475K601A3Z25-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接线盒 CAP FILM 4.7UF 600VDC SCREW
SI4032-B1-FM
RF 发射器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 IC TX 240-930MHZ 1-20DB 20VQFN
SD6XA-032G-000000
固态硬盘驱动器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 32GB
RNF18FTD226K
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 226K OHM 1% AXIAL
MDM-51SSK
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT SOLDER CUP
RNCP0603FTD2K21
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 2.21K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
SCD55104A
显示器模块 - LED 点阵和簇 OSRAM Opto Semiconductors Inc 矩形接线盒 DISPLAY 10CHAR .145" 5X5 HEG

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