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SI3493DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3493DV-T1-E3供应商

MNR14E0ABJ110
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 11 OHM 4 RES 1206
RT1206FRE0724RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 24.0 OHM 1/4W 1% SMD 1206
SST39LF010-45-4C-MME
存储器 Microchip Technology 34-WFBGA IC FLASH MPF 1MBIT 45NS 34WFBGA
RTS-1209-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块（5 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN 09VOUT
SI3493BDV-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
RW1S0BAR024JT
芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 2512 J 形引线 RES POWER .024 OHM 1W 5% SMT
SR211C473KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL
SM6227FT7R68
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 7.68 OHM 3W 1% WW 6227
MNR14E0ABJ111
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 110 OHM 4 RES 1206
RTS-1212
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块（5 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT
SST39LF020-45-4C-MME
存储器 Microchip Technology 34-WFBGA IC FLASH MPF 2MBIT 45NS 34WFBGA
SR211C473KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL
RW1S0BAR030JT
芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 2512 J 形引线 RES POWER .030 OHM 1W 5% SMT
MNR14E0ABJ114
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 110K OHM 4 RES 1206
RT1206FRE0727KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 27.0K OHM 1/4W 1% SMD 1206

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