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SI3493BDV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27.5 毫欧 @ 7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1805pF @ 10V; 功率_最大：2.97W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

SI3493BDV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27.5 毫欧 @ 7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1805pF @ 10V; 功率_最大：2.97W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3493BDV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27.5 毫欧 @ 7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：900mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：43.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1805pF @ 10V; 功率_最大：2.97W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

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