NSTB1002DXV5T 全国供应商、价格、PDF资料
NSTB1002DXV5T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA,200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V,40V
- 电阻器_基极333R1444(欧):47k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-553
- 供应商设备封装:SOT-553
- 包装:带卷 (TR)
NSTB1002DXV5T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA,200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V,40V
- 电阻器_基极333R1444(欧):47k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:500mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-553
- 供应商设备封装:SOT-553
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
- 晶体管(BJT) - 阵列 ON Semiconductor SOT-963 TRANSISTOR DUAL COMPL GP SOT-963
- 热敏电阻 - NTC Murata Electronics North America 0402(1005 公制) THERMISTOR
- 电池组 Sanyo Energy BATT PACK 9.6V 4000MAH NICAD
- 配件 APM Hexseal 圆柱形罐,径向 BOOT PUSHBUTTON 15/32-32NS CLEAR
- 晶体管(BJT) - 单路 Comchip Technology TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT-23
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC GATE NAND QUAD 2INP 14-TSSOP
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CHAN 30V TO220AB
- 热敏电阻 - NTC Vishay BC Components 0402(1005 公制) THERMISTOR NTC 10K 1% 0402
- 卡导轨 Bivar Inc CARD GUIDE NAR 4X0.078" BLK
- 配件 APM Hexseal 圆柱形罐,径向 BOOT PUSHBUTTON 15/32-32NS CLEAR
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC GATE NAND QUAD 2-INP 14-SOIC
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc 3-UFDFN TRANS NPN 40V 200MA DFN1006-3
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
- 热敏电阻 - NTC Vishay BC Components 0402(1005 公制) THERMISTOR NTC 100K OHM SMD 0402