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NST847BPDP6T5G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR DUAL COMPL GP SOT-963; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN，PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA / 700mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-963; 供应商设备封装：SOT-963; 包装：带卷 (TR)

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N-4000DRLL4X2
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MMBT3904-G
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MM74HC00MTCX
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FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CHAN 30V TO220AB